TK65E10N1,S1X(S Toshiba
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 52.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK65E10N1,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK65E10N1,S1X(S за ціною від 80.73 грн до 285.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK65E10N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TK65E10N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TK65E10N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK65E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|||||||||
| TK65E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 148A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| TK65E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 148A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |