на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 121.97 грн |
10+ | 104.28 грн |
100+ | 86.07 грн |
250+ | 79.89 грн |
500+ | 66.87 грн |
1000+ | 55.57 грн |
2000+ | 52.48 грн |
4000+ | 50.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK7P60W,RVQ Toshiba
Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK7P60W,RVQ за ціною від 53.98 грн до 134.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK7P60W,RVQ | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TK7P60W,RVQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V |
на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TK7P60W,RVQ | Виробник : Toshiba | MOSFET N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TK7P60W,RVQ | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TK7P60W,RVQ | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TK7P60W,RVQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V |
товар відсутній |