TLD8S30AH TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-218AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 36.8
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
Klemmspannung, max.: 48.4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 390.46 грн |
| 100+ | 319.67 грн |
| 500+ | 213.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TLD8S30AH TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Bauform - Diode: DO-218AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 33.3, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 36.8, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 30, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175, Klemmspannung, max.: 48.4, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції TLD8S30AH за ціною від 213.12 грн до 435.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TLD8S30AH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: DO-218AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 33.3 Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 36.8 usEccn: EAR99 Sperrspannung: 30 euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6 TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 Klemmspannung, max.: 48.4 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| TLD8S30AH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 6.6kW; 33.3÷36.8V; 136A; unidirectional; ±5%; DO218AB Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.6kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.3...36.8V Max. forward impulse current: 136A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO218AB Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| TLD8S30AH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 6.6kW; 33.3÷36.8V; 136A; unidirectional; ±5%; DO218AB Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.6kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.3...36.8V Max. forward impulse current: 136A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO218AB Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |