TP2435N8-G Microchip Technology
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 99.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2435N8-G Microchip Technology
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -0.8A; 1.6W; SOT89-3, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -350V, Pulsed drain current: -0.8A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT89-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції TP2435N8-G за ціною від 85.69 грн до 139.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET P-CH 350V 0.231A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TP2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 350V 15Ohm |
на замовлення 909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TP2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH 350V 0.231A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TP2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 350V 231MA TO243AA |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| TP2435N8-G |
|
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
 |
TP2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH 350V 0.231A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TP2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH 350V 0.231A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
TP2435N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -0.8A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -350V Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TP2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 350V 231MA TO243AA |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TP2435N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -0.8A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -350V Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |