TP65H070LSG-TR Transphorm
Виробник: TransphormDescription: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 500.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H070LSG-TR Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA, Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H070LSG-TR за ціною від 481.84 грн до 909.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP65H070LSG-TR | Виробник : Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
на замовлення 12335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TP65H070LSG-TR | Виробник : Transphorm |
MOSFET GAN FET 650V 25A PQFN88 |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|