Продукція > TRANSPHORM > TP65H480G4JSG-TR
TP65H480G4JSG-TR

TP65H480G4JSG-TR Transphorm

datasheet-tp65h480g4jsg Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.88 грн
10+ 159.35 грн
100+ 128.94 грн
500+ 107.56 грн
1000+ 92.1 грн
2000+ 86.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H480G4JSG-TR Transphorm

Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V, Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, Vgs (Max): ±18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H480G4JSG-TR за ціною від 89.67 грн до 269.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Виробник : Transphorm TP65H480G4JSG_3v3-1920428.pdf MOSFET 650V, 480mOhm
на замовлення 3881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.89 грн
10+ 177.99 грн
25+ 154.11 грн
100+ 124.88 грн
500+ 110.93 грн
1000+ 94.99 грн
2000+ 89.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
TP65H480G4JSG-TR Виробник : TRANSPHORM 4156861.pdf Description: TRANSPHORM - TP65H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+269.75 грн
10+ 241.43 грн
100+ 206.41 грн
500+ 170.22 грн
1000+ 123.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Виробник : Transphorm datasheet-tp65h480g4jsg Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товар відсутній