на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP86R203NL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TP86R203NL,LQ(S за ціною від 21.21 грн до 67.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP86R203NL,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP86R203NL,LQ(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP86R203NL,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TP86R203NL,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |