Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TP89R103NL,LQ
TP89R103NL,LQ

TP89R103NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TP89R103NL_datasheet_en_20140227.pdf?did=14089&prodName=TP89R103NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.42 грн
10+ 39.86 грн
100+ 27.57 грн
500+ 21.62 грн
1000+ 18.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP89R103NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 15A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TP89R103NL,LQ за ціною від 16.21 грн до 51.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP89R103NL,LQ TP89R103NL,LQ Виробник : Toshiba TP89R103NL_datasheet_en_20140227-1915965.pdf MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.92 грн
10+ 45.6 грн
100+ 27.04 грн
500+ 22.58 грн
1000+ 19.2 грн
2500+ 17.4 грн
5000+ 16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
TP89R103NL,LQ TP89R103NL,LQ Виробник : Toshiba 732tp89r103nl_datasheet_en_20140227.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
TP89R103NL,LQ TP89R103NL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL_datasheet_en_20140227.pdf?did=14089&prodName=TP89R103NL Description: MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товар відсутній