на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 586+ | 19.99 грн |
| 589+ | 19.89 грн |
| 698+ | 16.77 грн |
| 1000+ | 15.33 грн |
| 2000+ | 14.1 грн |
| 2500+ | 13.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPC8132,LQ(S Toshiba
Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TPC8132,LQ(S за ціною від 20.56 грн до 65.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 40V 7A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFET N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 7A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 7A 8-Pin SOP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V |
товар відсутній |