Продукція > TOSHIBA > TPCC8105,L1Q
TPCC8105,L1Q

TPCC8105,L1Q Toshiba

TPCC8105_datasheet_en_20180515-1649721.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.19 грн
10+ 49.42 грн
100+ 29.29 грн
500+ 24.44 грн
1000+ 20.79 грн
2500+ 18.93 грн
5000+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPCC8105,L1Q Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TPCC8105,L1Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q Виробник : Toshiba 739561151681405739557964663721tpcc8105_datasheet_en_20180515.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 23A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товар відсутній
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q Виробник : Toshiba 739561151681405739557964663721tpcc8105_datasheet_en_20180515.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 23A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товар відсутній
TPCC8105,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105_datasheet_en_20180515.pdf?did=6229&prodName=TPCC8105 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товар відсутній
TPCC8105,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105_datasheet_en_20180515.pdf?did=6229&prodName=TPCC8105 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товар відсутній