Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH1R204PB,L1Q
TPH1R204PB,L1Q

TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R204PB_datasheet_en_20191030.pdf?did=57107&prodName=TPH1R204PB Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+39.4 грн
10000+ 36.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TPH1R204PB,L1Q за ціною від 36.14 грн до 107.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PB_datasheet_en_20191030.pdf?did=57107&prodName=TPH1R204PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 30902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.6 грн
10+ 78.81 грн
100+ 61.28 грн
500+ 48.75 грн
1000+ 39.71 грн
2000+ 37.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba TPH1R204PB_datasheet_en_20191030-2509704.pdf MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.72 грн
10+ 86.32 грн
100+ 58.39 грн
500+ 49.49 грн
1000+ 38 грн
2500+ 37.93 грн
5000+ 36.14 грн
Мінімальне замовлення: 3