Продукція > TOSHIBA > TPH1R306P1,L1Q(M
TPH1R306P1,L1Q(M

TPH1R306P1,L1Q(M TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+85.8 грн
500+ 68.34 грн
1000+ 63.3 грн
5000+ 61.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R306P1,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TPH1R306P1,L1Q(M за ціною від 61.38 грн до 158.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH1R306P1,L1Q(M TPH1R306P1,L1Q(M Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+158.72 грн
10+ 135.62 грн
25+ 111.03 грн
100+ 85.8 грн
500+ 68.34 грн
1000+ 63.3 грн
5000+ 61.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPH1R306P1,L1Q(M Виробник : Toshiba tph1r306p1_datasheet_en_20191018.pdf Silicon N-Channel MOSFET
товар відсутній