Продукція > TOSHIBA > TPH2R306NH1,LQ(M
TPH2R306NH1,LQ(M

TPH2R306NH1,LQ(M TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.1 грн
500+ 53.76 грн
1000+ 46.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R306NH1,LQ(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm.

Інші пропозиції TPH2R306NH1,LQ(M за ціною від 46.75 грн до 122.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH2R306NH1,LQ(M TPH2R306NH1,LQ(M Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+118.48 грн
10+ 90.91 грн
100+ 66.1 грн
500+ 53.76 грн
1000+ 46.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
TPH2R306NH1,LQ(M Виробник : Toshiba TPH2R306NH1,LQ(M
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+122.71 грн
105+ 111.82 грн
128+ 91.25 грн
200+ 82.26 грн
1000+ 67.51 грн
2000+ 60.48 грн
5000+ 58.87 грн
Мінімальне замовлення: 95
TPH2R306NH1,LQ(M Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товар відсутній