TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 31.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TPH3R203NL,L1Q за ціною від 24.56 грн до 87.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH3R203NL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V |
на замовлення 8479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPH3R203NL,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V |
на замовлення 2891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TPH3R203NL,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS 4-H) 30V 47A TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA TTPH3r203nl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|