Продукція > TOSHIBA > TPH5R60APL,L1Q
TPH5R60APL,L1Q

TPH5R60APL,L1Q Toshiba

TPH5R60APL_datasheet_en_20191018-2509680.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93 грн
10+ 75.32 грн
100+ 51.35 грн
500+ 43.51 грн
1000+ 35.47 грн
2500+ 33.35 грн
5000+ 31.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH5R60APL,L1Q Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH5R60APL,L1Q за ціною від 31.99 грн до 85.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH5R60APL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60586&prodName=TPH5R60APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.51 грн
10+ 67.46 грн
100+ 52.45 грн
500+ 41.72 грн
1000+ 33.99 грн
2000+ 31.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH5R60APL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60586&prodName=TPH5R60APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
товар відсутній