Продукція > TOSHIBA > TPH8R808QM,LQ
TPH8R808QM,LQ

TPH8R808QM,LQ Toshiba


Виробник: Toshiba
MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 181-190 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.43 грн
10+ 52.28 грн
100+ 30.98 грн
500+ 25.9 грн
1000+ 22.03 грн
2500+ 19.96 грн
5000+ 18.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH8R808QM,LQ Toshiba

Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TPH8R808QM,LQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH8R808QM,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
товар відсутній
TPH8R808QM,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
товар відсутній