Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPHR6503PL1,LQ
TPHR6503PL1,LQ

TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.55 грн
10+ 112.8 грн
100+ 89.79 грн
500+ 71.31 грн
1000+ 60.5 грн
2000+ 57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPHR6503PL1,LQ за ціною від 58.42 грн до 151.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Виробник : Toshiba TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626-2449209.pdf MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)
на замовлення 38094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.88 грн
10+ 124.38 грн
100+ 86.12 грн
250+ 84.12 грн
500+ 72.77 грн
1000+ 58.75 грн
2500+ 58.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній