Продукція > TOSHIBA > TPN7R006PL,L1Q(M
TPN7R006PL,L1Q(M

TPN7R006PL,L1Q(M TOSHIBA

3934840.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.15 грн
500+ 29.96 грн
1000+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN7R006PL,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TPN7R006PL,L1Q(M за ціною від 25.04 грн до 68.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN7R006PL,L1Q(M TPN7R006PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
247+47.21 грн
288+ 40.48 грн
305+ 38.3 грн
500+ 34.55 грн
1000+ 30.04 грн
Мінімальне замовлення: 247
TPN7R006PL,L1Q(M TPN7R006PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934840.pdf Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+68.11 грн
14+ 53.43 грн
100+ 38.15 грн
500+ 29.96 грн
1000+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
TPN7R006PL,L1Q(M TPN7R006PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R
товар відсутній