Продукція > TOSHIBA > TPN8R903NL,LQ(S
TPN8R903NL,LQ(S

TPN8R903NL,LQ(S TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0076 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+55.51 грн
16+ 47.32 грн
100+ 29.36 грн
500+ 22.83 грн
1000+ 16.22 грн
5000+ 14.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN8R903NL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0076 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm.

Інші пропозиції TPN8R903NL,LQ(S за ціною від 14.56 грн до 55.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN8R903NL,LQ(S TPN8R903NL,LQ(S Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0076 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+55.51 грн
16+ 47.32 грн
100+ 29.36 грн
500+ 22.83 грн
1000+ 16.22 грн
5000+ 14.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
TPN8R903NL,LQ(S TPN8R903NL,LQ(S Виробник : Toshiba 336tpn8r903nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
товар відсутній
TPN8R903NL,LQ(S Виробник : TOSHIBA TPN8R903NL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; 22W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Power dissipation: 22W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
TPN8R903NL,LQ(S Виробник : TOSHIBA TPN8R903NL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; 22W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Power dissipation: 22W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній