Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TRS20N65FB,S1Q
TRS20N65FB,S1Q

TRS20N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+414.6 грн
30+ 318.77 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TRS20N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.

Інші пропозиції TRS20N65FB,S1Q за ціною від 209.24 грн до 450.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TRS20N65FB,S1Q TRS20N65FB,S1Q Виробник : Toshiba TRS20N65FB_datasheet_en_20200703-1891860.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.26 грн
10+ 354.45 грн
120+ 275.67 грн
270+ 275 грн
510+ 242.45 грн
1020+ 209.24 грн