TRS8E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS8E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS8E65F,S1Q за ціною від 108.27 грн до 262.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS8E65F,S1Q | Виробник : Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers V=650 IF=8A |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TRS8E65F,S1Q | Виробник : Toshiba |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |