на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.94 грн |
10+ | 164.24 грн |
100+ | 114.92 грн |
2500+ | 97.65 грн |
10000+ | 95.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS8V65H,LQ Toshiba
Description: G3 SIC-SBD 650V 8A DFN8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS8V65H,LQ за ціною від 78.05 грн до 181.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TRS8V65H,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 SIC-SBD 650V 8A DFN8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TRS8V65H,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 SIC-SBD 650V 8A DFN8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TRS8V65H,LQ | Виробник : Toshiba | Diode Schottky SiC 650V 23A 4-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |