TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.94 грн |
| 6000+ | 8.25 грн |
| 9000+ | 7.42 грн |
| 30000+ | 6.86 грн |
| 75000+ | 6.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TSM320N03CX RFG за ціною від 7.04 грн до 49.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM320N03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V |
на замовлення 86306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM320N03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V, 5.5A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 19257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM320N03CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM320N03CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM320N03CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM320N03CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 400mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.9nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM320N03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TSM320N03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM320N03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM320N03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |