UG8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.47 грн |
10+ | 92.43 грн |
100+ | 62.37 грн |
500+ | 53.34 грн |
1000+ | 43.44 грн |
2000+ | 40.92 грн |
5000+ | 38.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UG8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V.
Інші пропозиції UG8JT-E3/45
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
UG8JT-E3-45 |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
UG8JT-E3/45 | Виробник : Vishay | Diode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товар відсутній |
||
UG8JT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V |
товар відсутній |