UMD2N-TR Rohm Semiconductor
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
580+ | 0.99 грн |
589+ | 0.98 грн |
598+ | 0.97 грн |
607+ | 0.92 грн |
616+ | 0.84 грн |
625+ | 0.79 грн |
635+ | 0.78 грн |
1000+ | 0.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMD2N-TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung, Bauform - Transistor: SOT-363, Bauform - HF-Transistor: SOT-363, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMD2N Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UMD2N-TR за ціною від 4.23 грн до 39.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UMD2N-TR | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 3725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2N-TR | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 5833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 30MA |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung Bauform - Transistor: SOT-363 Bauform - HF-Transistor: SOT-363 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMD2N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 9110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UMD2N-TR | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
UMD2 NTR | Виробник : ROHM | 97+ |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMD2 N TR | Виробник : ROHM | SOT26 |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMD2 N TR | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM | SOT-363 |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SC88; SOT363 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
UMD2NTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SC88; SOT363 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
товар відсутній |