UPA2814T1S-E2-AT Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 24A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 37.83 грн |
| 10000+ | 34.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UPA2814T1S-E2-AT Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 24A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V.
Інші пропозиції UPA2814T1S-E2-AT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UPA2814T1S-E2-AT | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET MOSFET |
товар відсутній |