US6M11TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.27 грн |
| 6000+ | 13.04 грн |
| 9000+ | 12.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US6M11TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції US6M11TR за ціною від 11.75 грн до 45.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
US6M11TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active |
на замовлення 13750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
US6M11TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN |
на замовлення 38518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
US6M11TR Код товару: 174450 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| US6M11TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
US6M11TR Multi channel transistors |
товар відсутній |