на замовлення 14125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 50.71 грн |
10+ | 49.83 грн |
25+ | 34.92 грн |
100+ | 32.91 грн |
500+ | 32.25 грн |
1000+ | 31.91 грн |
5000+ | 29.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN0104N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V.
Інші пропозиції VN0104N3-G за ціною від 37.5 грн до 51.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VN0104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
VN0104N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
VN0104N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |