VN2106N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.14 грн |
25+ | 26.91 грн |
100+ | 23.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2106N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції VN2106N3-G за ціною від 22.91 грн до 67.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VN2106N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 4362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 60V 4Ohm |
на замовлення 4704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN2106N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN2106N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 584 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
VN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |