VP2450N8-G MICROCHIP
Виробник: MICROCHIPDescription: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.6W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 107.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP2450N8-G MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VP2450N8-G за ціною від 93.68 грн до 207.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VP2450N8-g | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VP2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VP2450N8-g | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
на замовлення 3044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VP2450N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VP2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VP2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VP2450N8-g | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 500V 30Ohm |
на замовлення 7222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VP2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VP2450N8-g | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -160mA; Idm: -0.8A; 1.6W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -160mA Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VP2450N8-g | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -160mA; Idm: -0.8A; 1.6W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -160mA Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 170 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
VP2450N8-G Код товару: 132675 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
VP2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
VP2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |