VP3203N3-G Microchip Technology
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 95.93 грн |
| 25+ | 86.72 грн |
| 100+ | 81.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VP3203N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 740mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VP3203N3-G за ціною від 85.69 грн до 168.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
,TO-226_straightlead.jpg "VP3203N3-G") |
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VP3203N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 740mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 30V 0.6Ohm |
на замовлення 2096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VP3203N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -650mA; Idm: -4A; 740mW; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -650mA Pulsed drain current: -4A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VP3203N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -650mA; Idm: -4A; 740mW; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -650mA Pulsed drain current: -4A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
VP3203N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |