VS-15ETH06-1-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 86.8 грн |
| 10+ | 69.67 грн |
| 100+ | 47.16 грн |
| 500+ | 39.99 грн |
| 1000+ | 32.55 грн |
| 3000+ | 30.62 грн |
| 5000+ | 29.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-15ETH06-1-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-262AA, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-15ETH06-1-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-15ETH06-1-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262AAPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-262AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
товар відсутній |