VS-1EFH02-M3/I VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - VS-1EFH02-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 930 mV, 25 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 930mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 38365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 10.95 грн |
| 500+ | 9.34 грн |
| 1000+ | 5.17 грн |
| 5000+ | 5.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1EFH02-M3/I VISHAY
Description: VISHAY - VS-1EFH02-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 930 mV, 25 ns, 35 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB (SMF), Durchlassstoßstrom: 35A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 930mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: FRED Pt, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції VS-1EFH02-M3/I за ціною від 5.05 грн до 26.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-1EFH02-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
на замовлення 7539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VS-1EFH02-M3/I | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-1EFH02-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 930 mV, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 38365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-1EFH02-M3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers Hypfst Rect 1A 200V |
на замовлення 11147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VS-1EFH02-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| VS-1EFH02-M3/I | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying |
товар відсутній |