на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 541.32 грн |
| 10+ | 456.81 грн |
| 100+ | 311.78 грн |
| 200+ | 297.76 грн |
| 500+ | 275.06 грн |
| 1000+ | 256.36 грн |
| 2000+ | 251.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1N1184R Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 110 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-1N1184R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-1N1184R | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203ABPackaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 110 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 100 V |
товар відсутній |