на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 858.33 грн |
| 10+ | 725.53 грн |
| 100+ | 419.26 грн |
| 200+ | 409.91 грн |
| 1000+ | 397.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1N1184RA Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 40A, Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 126 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-1N1184RA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-1N1184RA | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO203ABPackaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 126 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 100 V |
товар відсутній |