на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 619.99 грн |
| 100+ | 558.93 грн |
| 200+ | 476.68 грн |
| 500+ | 467.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-1N3881 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VS-1N3881
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-1N3881 | Виробник : Vishay |
 Fast Recovery Diodes 12A |
товар відсутній |
|
 |
VS-1N3881 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AAPackaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V |
товар відсутній |