Технічний опис VS-20ETF12PBF VISHAY
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-20ETF12PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-20ETF12PBF | Виробник : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 400ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товар відсутній |
|
 |
VS-20ETF12PBF | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
|
 |
VS-20ETF12PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers RECOMMENDED ALT 844-20ETF12-M3 |
товар відсутній |