VS-20ETS12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 140.12 грн |
50+ | 108.48 грн |
100+ | 89.26 грн |
500+ | 70.88 грн |
1000+ | 60.14 грн |
2000+ | 57.13 грн |
5000+ | 54.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETS12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-20ETS12S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 1.1 V, 300 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 300A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції VS-20ETS12S-M3 за ціною від 70.26 грн до 171.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-20ETS12S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 243-252 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VS-20ETS12S-M3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-20ETS12S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 1.1 V, 300 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VS-20ETS12S-M3 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
VS-20ETS12S-M3 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
VS-20ETS12S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 20A; D2PAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 300A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: D2PAK Max. forward impulse current: 300A Max. forward voltage: 1.1V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
VS-20ETS12S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 20A; D2PAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 300A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: D2PAK Max. forward impulse current: 300A Max. forward voltage: 1.1V |
товар відсутній |