VS-2EFH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 7.94 грн |
| 30000+ | 7.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EFH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-2EFH02HM3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 24 ns, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB (SMF), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 24ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: FRED Pt, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VS-2EFH02HM3/I за ціною від 7.6 грн до 29.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-2EFH02HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 37992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-2EFH02HM3/I | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-2EFH02HM3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 24 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 24ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-2EFH02HM3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers Hypfst Rct 2A 200V |
на замовлення 13522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|