VS-4ESH01-M3/87A

VS-4ESH01-M3/87A Vishay Semiconductors


vs-4esh01-m3.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V
на замовлення 32400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.98 грн
10+ 35.24 грн
100+ 21.36 грн
500+ 16.69 грн
1000+ 12.08 грн
2500+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-4ESH01-M3/87A Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V.

Інші пропозиції VS-4ESH01-M3/87A за ціною від 13.77 грн до 75.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-4ESH01-M3/87A VS-4ESH01-M3/87A Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4esh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.33 грн
10+ 35.54 грн
100+ 26.51 грн
500+ 19.55 грн
1000+ 15.1 грн
2000+ 13.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
VS-4ESH01-M3/87A Виробник : Vishay vs-4esh01-m3.pdf Диод Шоттки Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.78 грн
10+ 62.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-4ESH01-M3/87A VS-4ESH01-M3/87A Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4esh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
товар відсутній