Продукція > VISHAY > VS-8EWF06STRL-M3
VS-8EWF06STRL-M3

VS-8EWF06STRL-M3 Vishay


vs-8ewf02sm.pdf Виробник: Vishay
Diode Switching Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-8EWF06STRL-M3 Vishay

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.

Інші пропозиції VS-8EWF06STRL-M3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-8EWF06STRL-M3 VS-8EWF06STRL-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf02sm.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-8EWF06STRL-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-8ewf02sm.pdf Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
товар відсутній