VS-E5PH7512L-N3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 364.73 грн |
| 10+ | 283.33 грн |
| 500+ | 209.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-E5PH7512L-N3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 145 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 75A, Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 75 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-E5PH7512L-N3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-E5PH7512L-N3 | Виробник : Vishay |
 Hyper Fast Rectifier |
товар відсутній |
||
| VS-E5PH7512L-N3 | Виробник : VISHAY |
VS-E5PH7512L-N3 THT universal diodes |
товар відсутній |
||
 |
VS-E5PH7512L-N3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
товар відсутній |