VS-GT50YF120NT Vishay Semiconductors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8030.4 грн |
| 12+ | 7226.69 грн |
| 24+ | 6220.13 грн |
| 60+ | 6098.28 грн |
| 108+ | 5716.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT50YF120NT Vishay Semiconductors
Description: ECONO - 4 PACK IGBT, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 64 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 231 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA.
Інші пропозиції VS-GT50YF120NT за ціною від 5879.52 грн до 7394.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VS-GT50YF120NT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: ECONO - 4 PACK IGBTPackaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 231 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|