WG40N65DFWQ WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.55 грн |
| 9+ | 95.49 грн |
| 24+ | 89.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WG40N65DFWQ WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFWQ - IGBT, 85 A, 1.5 V, 313 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції WG40N65DFWQ за ціною від 107.94 грн до 209.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WG40N65DFWQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 173nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 378ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
WG40N65DFWQ | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFWQ - IGBT, 85 A, 1.5 V, 313 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| WG40N65DFWQ | Виробник : Ween | WG40N65DFW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
WG40N65DFWQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
WeEn Semiconductors WG40N65DFW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товар відсутній |