Продукція > WAYON > WMJ28N60F2
WMJ28N60F2

WMJ28N60F2 WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.28 грн
3+ 197.2 грн
8+ 122.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ28N60F2 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ F2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 65A, Power dissipation: 160W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: THT, Gate charge: 27.3nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ28N60F2 за ціною від 146.97 грн до 318.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMJ28N60F2 WMJ28N60F2 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+318.33 грн
3+ 245.74 грн
8+ 146.97 грн