WMJ3N120D1 WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 100.88 грн |
| 10+ | 73.07 грн |
| 20+ | 48.99 грн |
| 54+ | 46.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ3N120D1 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ D1, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 156.2W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 6.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 22.2nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMJ3N120D1 за ціною від 38.75 грн до 108.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMJ3N120D1 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 156.2W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.3Ω Mounting: THT Gate charge: 22.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|