WMJ80N60C4 WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 778.13 грн |
3+ | 315.73 грн |
7+ | 298.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ80N60C4 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ C4, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 45A, Pulsed drain current: 245A, Power dissipation: 410W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 103nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 375ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMJ80N60C4 за ціною від 358.01 грн до 933.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
WMJ80N60C4 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 410W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 375ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|