XP2301GN YAGEO XSEMI
Виробник: YAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 17.75 грн |
| 500+ | 13.35 грн |
| 1000+ | 9.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP2301GN YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.38W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: XP2301 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції XP2301GN за ціною від 6.94 грн до 34.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP2301GN | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP2301GN | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP2301 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP2301GN | Виробник : YAGEO XSemi |
MOSFET P-CH -20V -2. 5A SOT-23S |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
XP2301GN | Виробник : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V |
товар відсутній |