на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.6 грн |
10+ | 65.39 грн |
100+ | 44.24 грн |
500+ | 37.53 грн |
1000+ | 30.49 грн |
3000+ | 28.7 грн |
6000+ | 27.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP3700YT XSemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK3X3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3.
Інші пропозиції XP3700YT за ціною від 27.37 грн до 80.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
XP3700YT | Виробник : YAGEO XSemi | MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
XP3700YT | Виробник : XSemi Corporation |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK3X3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
XP3700YT | Виробник : XSemi Corporation |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK3X3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3 |
товар відсутній |