Продукція > YAGEO XSEMI > XP50AN1K5H
XP50AN1K5H

XP50AN1K5H YAGEO XSEMI

XP50AN1K5H.pdf Виробник: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.63 грн
10+ 82.96 грн
100+ 64.5 грн
500+ 51.3 грн
1000+ 41.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP50AN1K5H YAGEO XSEMI

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V.

Інші пропозиції XP50AN1K5H за ціною від 38.53 грн до 113.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
XP50AN1K5H XP50AN1K5H Виробник : YAGEO XSemi XP50AN1K5H-3367866.pdf MOSFET N-CH 500V 5A TO-252
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.15 грн
10+ 91.67 грн
100+ 61.78 грн
500+ 52.81 грн
1000+ 42.98 грн
3000+ 40.52 грн
6000+ 38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP50AN1K5H XP50AN1K5H Виробник : YAGEO XSEMI XP50AN1K5H.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товар відсутній